بخشی از متن اصلی:

در فصل اول قبل از هرچیز لازم است که ITO و ویژگی های آن معرفی شود. بنابراین در ابتدای این فصل ITO معرفی شده و خواص و ویژگی های آن مورد بررسی قرار گرفته است. در این بخش خواص فیزیکی، الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک ITO بطور کامل آورده شده است.

در بخش دوم این فصل روشهای لایه نشانی متداول برای لایه نشانی ITO آورده شده است و سعی شده تا حد امکان توضیحاتی برای هر کدام از روشها داده شود.

روش لایه نشانی مورد استفاده در این پروژه یعنی کندوپاش  بطور کامل در فصل چهارم توضیح داده شده است. در بررسی روشهای لایه نشانی سعی شده است که مزایا و محدودیتهای هر کدام توضیح داده شود.

در قسمت پایانی این فصل نیز به بررسی تماس نیمه هادی به ITO پرداخته شده و با استفاده از تحلیل دیاگرام باند انرژی تماس MS  ویژگی های ماس ITO به نیمه هادی تحلیل شده است.

In2O3:Sn که اینیدم قلع اکسید یا به اختصار (ITO) نامیده می شود، یک نیمه هادی دژنره نوع n است. این ماده که یکی از معروفترین اکسیدهای رسانای شفاف (TCO) است دارای گپ پهن و باند ممنوعه اپتیکی مستقیم است.

اصلی ترین ویژگی ITO، رسانایی آن در عین شفافیت آن است. ITO نور مرئی را از خود عبور می دهد اما در مقابل نور مادون قرمز از خود خاصیت بازتابی نشان می دهد. همین ویژگی است که ITO را به عنوان یک اکسید رسانای شفاف برای کاربرهای گوناگون الکترونیکی مناسب می سازد.

گرچه رسانایی در عین شفافیت ویژگی اصلی ITO به شمار می رود اما ویژگی های مهم دیگری نز وجود دارند که ITO را تبدیل به یک ماده خاص می کند. این ویژگی ها عبارتند از: مقاومت ورقه ای کم، لایه گذاری آسان، استحکام حرارتی بدون تغییر در مقاومت ورقه ای، ایستادگی شیمیایی و ...

این فایل به همراه چکیده، فهرست، متن اصلی و منابع با فرمت doc ( قابل ویرایش ) در اختیار شما قرار می گیرد.

تعداد صفحات:106