مقاله A Fully-Integrated Low-Power 3.1-10.6GHz UWB LNA in 0.18pim
CMOS + ترجمه

Abstract-Ultra wideband (UWB) radio technology has many
advantages: i.e., ultra wide 7.5GHz spectrum bandwidth,
extremely high throughput, very low power, etc. This paper
presents a single-chip low-power 3.1-10.6GHz low-noise
amplifier (LNA) designed for pulse-based full-band UWB
transceivers, which features an improved shunt-series feedback
topology to achieve desirable ultra broadband gain and noise
performance. The LNA is implemented in a commercial 0.18pm
CMOS process and the measured specifications are: a flat gain
of 12dB and a minimum noise figure (NF) of 3.8dB across
3.1-10.6GHz bandwidth, a very low DC power of 9.8mW at 1.8V
supply, S1l of < -9dB, and S22 of < -15dB. It achieves a gain
flatness of 0.27 and a 1-dB compression point of better than
-0.8dBm.

یک LNA UWB 3.1-10.6 GHz کم توان کاملا مجتمع در 0.18 μm CMOS

چکیده

فناوری رادیوی فوق پهن باند (UWB) مزایای بسیاری دارد: پهنای باند طیفی فوق پهن 7.5 GHz، بازده بسیار بالا، توان (مصرف برق) بسیار کم و غیره. این مقاله یک تقویت کننده کم نویز 3.1-10.6 GHz کم توان تک تراشه ای را که برای فرستنده و گیرنده های UWB پالسی تمام باند طراحی شده را ارائه می دهد که یک توپولوژی فیدبک سری – موازی بهتری دارد و به بهره فوق پهن باند مطلوب و عملکرد نویزی خوبی دست یابد. LNA در یک فرآیند 0.18 μm CMOS تجاری پیاده سازی شده است ومشخصات اندازه گیری شده عبارتند از: یک بهره یکنواخت (تخت) 12 dB و یک مینیمم NF برابر با 3.8 dB در پهنای باند 3.1-10.6 GHz ، یک توان DC بسیار کم برابر 9.8 mW با منبع تغذیه 1.8 V، S₁₁ < -15 dB. این به یک سطح بهره ی 0.27 و نقطه تراکم یک دسی بلی بهتر از       -0.8 dBm دست می یابد.