قسمتی از اسلایدها:
عملکرد ترانزیستور با ولتاژ گیت صفر
-دو لایه فلزی موازی گیت و بدنه صفحات یک خازن و لایه اکسید نیز عایق آن را تشکیل می دهد.
-دو اتصال pn (اتصال سورس – بدنه و درین – بدنه) دو دیود پشت به پشت را تشکیل می دهد
-پایه های سورس و درین بوسیله دو ناحیه تخلیه ایزوله شده و جریانی بین آن ها برقرار نیست.
ایجاد کانال به منظور برقراری جریان
-بارهای مثبت حاصل از اتصال گیت به ولتاژ مثبت به گیت اعمال می شود.
-بارهای مثبت حفره ها را به سمت پائین بدنه (ناحیه p) می رانند و ناحیه تخلیه ای در منطقه زیر ناحیه گیت شکل می گیرد.
-همزمان
با افزایش ولتاژ گیت (رسیدن به ولتاژ آستانه) الکترون ها در سطح زیرلایه
تجمع می کنند (ولتاژ مثبت گیت الکترون ها را از نواحی N سورس و درین جذب
می کند)
-دو ناحیه n باعث ایجاد کانالی به منظور برقراری جریان بین سورس و درین عمل می کنند.
فهرست مطالب واسلایدها:
ترانزيستور ميدان
Field Effecاثرt Transistor
تعريف
ايجاد ترانزيستور اثر ميدان (FET)
باياس ترانزيستور و نحوه كاركرد آن
علامت اختصاري FET
منحني مشخصه FET
ترانزيستور اثر ميدان با گيت عايق شده
N Channel Mosfet
Complementary MOS
CMOS