با دانلود تحقیق در مورد تكنولوژي ذخيره سازي سيليكوني در خدمت شما عزیزان هستیم.این تحقیق تكنولوژي ذخيره سازي سيليكوني را با فرمت word و قابل ویرایش و با قیمت بسیار مناسب برای شما قرار دادیم.جهت دانلود تحقیق تكنولوژي ذخيره سازي سيليكوني ادامه مطالب را بخوانید.

نام فایل:تحقیق در مورد تكنولوژي ذخيره سازي سيليكوني

فرمت فایل:word و قابل ویرایش

تعداد صفحات فایل:8 صفحه

قسمتی از فایل:

«تكنولوژي (ساخت)     Super Flash EEPROM»

1-    معرفي:

اين مقاله تكنولوژي ذخيره سازي سيليكوني را توضيح مي دهد. در اين محصول سلول حافظه گيت و بازيابي تونل به روش ميداني تشريح شده است. تكنولوژي Super flash و سلول حافظه از نظر طراحي داراي مزاياي مهمي هستند و سازنده EEPROM هاي Flash در زمان استفاده از ابزارهاي منطقي در مقايسه با گيت Stack (پشته) اكسيد يا تكنيك 2 ترانزيستوري از قابليت عملكرد و آزادي عمل بيشتري برخوردار است. علاوه بر آن اين تكنولوژي داراي مزيتهاي قيمت كمتر و قابليت اطمينان بيشتر است. اين تكنولوژي با استفاده از لايه هاي كمتر از پردازش ساده تري برخوردار است كه در مقايسه با انواع ديگر قابل مقايسه است. عمدتاً كاهش مراحل و هزينه هاي لايه گذاري، سبب كاهش قيمت نهايي محصول مي شود. حافظه گيت مجزا SST از نظر اندازه و حجم اشغال شده در مقايسه با انواع ترانزيستوري آن بسيار قابل توجه است، علاوه بر اينكه سهولت استفاده و قابليت اطمينان بالا نيز در آن بيشتر است. براساس طراحي، سلول حافظه مجزاي SST ، براي هر سلول حافظه مربوط به رديف بيت از overerase استفاده مي كند. اختلال در پاك كردن براي همه بايتهاي مربوط به يك صفحه يا صفحات ديگر ممكن است ايجاد شود، اين بدليل انجام فرآيند در ولتاژ بالا است.

2-    تزريق كننده (انژكتور) ايجاد تونل بازيابي ميداني: