چکیده
در این مقاله یک ساختار جدید برای ترانزیستور دوقطبی پیوندی براساس تکنولوژی SOI طراحی شده است. این ساختار یک پین اضافی به عنوان گیت دارد .توسط اعمال یک ولتاژ به گیت ، پهنای موثر بیس کنترل می شود ، و این قابلیت باعث کنترل بهره ترانزیستور می شود .این ترانزیستور به طور وسیع با شبیه سازها بررسی شده است . تمام شبیه سازی ها با نرم افزار Silvaco انجام شده است که نشان دهنده افزایش متغیرهای بهره جریان تا ۱۰ برابر می باشد . بهره جریان ترانزیستور بدون هیچ ولتاژ گیتی برابر با ۲۰۰ می باشد ولی با اعمال ولتاژ به گیت به ترانزیستور تا ۲۰۰۰ افزایش می یابد . این قابلیت کاربردهای بالقوه ای مانند میکسرها و بهره های جریان با عملکرد خوبی به ما می دهد . در این مقاله سطح توزیع نفوذ طوری طراحی شده است که به بهترین بهره جریان و هدایت خروجی منجر شود .
کلمه های کلیدی : ترانزیستور دوقطبی ، تکنولوژی SOI ، تاثیر میدانی ، کنترل بهره جریان
برچسب ها:
دانلود مقاله دانلود مقاله IEEE ترانزیستور دوقطبی تکنولوژی SOI تاثیر میدانی کنترل بهره جریان Silvaco نرم افزار Silvaco گیت ماسفت ماسفت