این مقاله یکی از موضوعات جدید و بروز در ضمینه فین فت 10 نانومتر می باشد و مناسب همه دوره ها:کارشناسی،ارشد،دکتری برق می باشد.ترجمه بصورت کاملا روان بوده و اصلا ترجمه ماشینی در آن استفاده نشده.تمامی شکل ها و جداول بصورت مرتب و طبق ترتیب مقاله اصلی بوده و می تواند موضوع مقالات دروس مختلف دانشگاهی باشد.این مقاله از سایت معروف و شناخته شده IEEE می باشد.که معمولا تمامی اساتید با این سایت آشنا هستند.
تعداد صفحات مقاله اصلی هر صفحه دو ستون و با فونت ریز:4 صفحه
تعداد صفحات ترجمه:12 صفحه
فایل ها در قالب فرمت pdf می باشند.
عنوان لاتین مقاله:Study of Impact of BTI’s Local Layout Effect Including Recovery Effect on Various Standard-Cells in 10nm FinFET
عنوان فارسی مقاله:بررسی تاثیر طرح چیدمان محلی BTI شامل تاثیر بهبودی بر روی سلول های استاندارد مختلف در فین فت 10 نانومتر
برچسب ها:
مقاله ترجمه شده تخصصی برق