تمامی فایل های موجود در آپادانا، توسط کاربران عرضه می شود. اگر مالک فایلی هستید که بدون اطلاع شما در سایت قرار گرفته، با شماره 09399483278 با ما تماس بگیرید.
پاورپوینت ترانزيستورهاي اثر ميدان FET

پاورپوینت ترانزيستورهاي اثر ميدان FET

دانلود پاورپوینت با موضوع ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET) دارای 21 اسلاید و با فرمت .ppt و قابل ویرایش و آماده برای ارائه ، چاپ ، تحقیق و کنفرانس می باشد.

دسته بندی: عمومی » گوناگون

تعداد مشاهده: 2 مشاهده

فرمت فایل دانلودی:.ppt

فرمت فایل اصلی: .ppt

تعداد صفحات: 21

حجم فایل:2,961 کیلوبایت

  پرداخت و دانلود  قیمت: 23,000 تومان
پس از پرداخت، لینک دانلود فایل برای شما نشان داده می شود.
0 0 گزارش

  • دانلود پاورپوینت با موضوع ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET) دارای 21 اسلاید و با فرمت .ppt و قابل ویرایش و آماده برای ارائه ، چاپ ، تحقیق و کنفرانس می باشد.

     

    تعداد اسلاید : 21 اسلاید
    فرمت فایل: پاورپوینت .ppt و قابل ویرایش
    آماده برای : ارائه ، چاپ ، تحقیق و کنفرانس

     

    قسمتی از متن نمونه:

    ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET)
    الکترونیک دیجیتال

    ترانزيستور اثر ميدان
    Field Effect Transistor
    الکترونیک دیجیتال
    ترانزیستور اثر میدان، دسته‌ای ازترانزيستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آن‌ها توسط یک ميدان الكتريكي صورت می‌گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می‌توان آن‌ها را جزو ترانزیستورهای تک‌قطبی محسوب کرد
    كلمه ترانزيستور از دو كلمه ترانس (انتقال) و رزيستور (مقاومت) تشكيل شده است و قطعه اي است كه از طريق انتقال مقاومت به خروجي باعث تقويت مي شود.
    تعريف
    الکترونیک دیجیتال
    اگر قطعه اي سيليكن با ناخالصي نوع n به دو سر يك باتري وصل كنيم جرياني با توجه به ميزان مقاومت سيليكن در مدار جاري مي شود
    ورود الكترون ها
    خروج الكترون ها
    ايجاد ترانزيستور اثر ميدان (FET)
    الکترونیک دیجیتال
    نفوذ فلز سه ظرفيتي (مانند اينديم) و ايجاد ناحيه اي از نوع P با غلظتي بيش از ناحيه n
    و ايجاد اتصالي به نام گيت

    ناحيه n كانال ناميده مي شود
    باياس ترانزيستور و نحوه كاركرد آن
    الکترونیک دیجیتال
    اگر هر سه پايه سورس و درين را اتصال كوتاه كنيم هيچ جرياني از كانال نمي گذرد و دو ناحيه P و n توسط ناحيه تخليه از هم جدا مي شوند.
    1
    الکترونیک دیجیتال
    اتصال منبع ولتاژ بين دو پايه درين و سورس به طوري كه درين نسبت به سورس مثبت تر باشد باعث :
    افزايش ولتاژ باعث عبور جريان از كانال مي شود
    اتصال pn در گرايش معكوس قرار مي گيرد
    ناحيه تخليه (سد) در داخل كانال نفوذ مي كند
    با افزايش بيشتر ولتاژ كانال مسدود مي شود. (ولتاژ بحراني Vp)

    در هنگام رسيدن به ولتاژ بحراني جريان FET به حداكثر (جريان اشباع درين – سورس) مي رسد
    افزايش بيش از حد ولتاژ
    درين – سورس باعث شكست بهمني يا سوختن ترانزيستور مي شود
    2
    باياس ترانزيستور و نحوه كاركرد آن
    ....
    برچسب ها: دانلود رایگان دانلود رایگان خرید دانلود رایگان پاورپوینت ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET) خرید دانلود رایگانپاورپوینت ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET) خرید دانلود رایگان دانلود رایگان پاورپوینت ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET)
  

به ما اعتماد کنید

تمامي كالاها و خدمات اين فروشگاه، حسب مورد داراي مجوزهاي لازم از مراجع مربوطه مي باشند و فعاليت هاي اين سايت تابع قوانين و مقررات جمهوري اسلامي ايران است.
این سایت در ستاد سازماندهی ثبت شده است.

درباره ما

فروش اینترنتی فایل های قابل دانلود
در صورتی که نیاز به راهنمایی دارید، صفحه راهنمای سایت را مطالعه فرمایید.

تمام حقوق این سایت محفوظ است. کپی برداری پیگرد قانونی دارد.