گزارش کارآموزی آزمایشگاه الکترونیک، این فایل با فرمت Word، با حجم 33 صفحه و قابل ویرایش می باشد
بخشی از متن:
در دماهاي پايين همان ساختار اتم را دارند، ولي در دماهاي بالا به علت وجود انرژي حرارتي از برخي اتمها الكترون كنده ميشود و آن اتم حالت بار مثبت را پيدا ميكند و مايل است الكترون اتم ديگر را كنده و خود را به آرايش كامل برساند. همراه با كنده شده الكترون يك حفره به وجود ميآيد. به دليل كنده شدن الكترون و پديد آمدن حفره همواره، حفرهاي توليد و الكتروني كنده ميشود و اين يك پديده آماري است.براي بالا بردن ظرفيت نيمههاديها يك ناخالصي وارد آنها ميكنيم كه باعث افزايش هدايت ميشود يعني تعداد الكترونها يا حفرهها به دليل ورود ناخالصي بيشتر ميشود. مثلاً در شبكه سيليسيوم به جاي يك اتم آن يك اتم فسفر 5 ظرفيتي وارد ميكنيم كه 4 الكترونش را با سيليسيوم پيوند ميدهد و يكي از اتمهايش باقي ميماند كه باعث ميشود ضريب هدايت بالا رود.به ناخالصيهاي 5 اتمي donor ميگويند و به اين نوع نيمههاديها، نيمههاديهاي نوع N ميگويند.و اگر ناخالصي 3 ظرفيتي وارد كنيم ميتواند بدون آنكه پيوندي را بشكند الكترون بگيرد و مانند يك حفره عمل كند. به ناخالصيهاي 3 اتمي acceptor ميگويند و به نيمههاديهايش ، نيمههاديهاي نوع P ميگويند.به اتصالهاي نيمههاديهاي نوع N با P يك ديود گفته ميشود.انواع ديودها :ديودها انواع مختلفي دارند، مانند : ديود معمولي، ديود زنر، ديود تونل، ديود LED يا نوراني، ديود نوري يا photodiode .
این گزارش شامل مباحث زیر می باشد:
مقاومت
خازن
ترانزيستورها
صفحات برد بورد
منبع تغذيه
آزمايش شماره يك : (اسيلوسكوپ)
آزمايش شماره دو : (صافيها، انتگرالگير، مشتقگير)
آزمايش شماره سه : (رسم منحني مشخصه ديودها)
آزمايش شماره چهار : (مدارهاي ديودي)
آزمايش شماره پنج : (طرح و ساخت منبع تغذيه)
آزمايش شماره شش : (رسم منحنيهاي مشخه ترانزيستور)
برچسب ها:
دانلود گزارش کارآموزی کاراموزی آزمایشگاه الکترونیک دانلود تحقیق الکترونیک گزارش کاراموزی الکترونیک کارورزی آزمایشگاه الکترونیک کارآموزی الکترونیک